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SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录(MOU),推进 HBM4 研发和下一代封装技术

NSP NEWS AGENCY, By Jimin Park and Bok-hyun Lee, 2024-04-20 09:50 CNX7
#SK 海力士 #台积电 #HBM4 研发 #下一代封装技术
NSP통신

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SK 海力士表示,通过台积电建立 AI 半导体同盟,进一步巩固在 HBM 领域的优势。
双方将合作开发第六代HBM产品(HBM4),预计在2026年投产。
SK 海力士表示,人工智能内存领域的全球领导者与全球顶级逻辑代工企业台积电之间的合作,将带来更多 HBM 技术的创新。此次合作还有望通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作,实现存储器性能的突破。

两家公司初期目标是改善 HBM 封装内最底层基础裸片(Base Die)的性能。HBM 是将多个 DRAM 裸片(Core Die)堆叠在基础裸片上,并通过 TSV 技术进行垂直连接而成,基础裸片也连接至 GPU,在 HBM 中扮演非常重要的角色。
SK 海力士已经使用了一项专利技术来制造 HBM3E 的基础芯片,但计划在 HBM4 的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺,以便在有限的空间内封装额外的功能。
从而在性能和功效等方面,进一步满足客户的定制化(Customized)HBM 产品需求。

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