Skip to main content Go body Go Menu
G03-8236672469

SK海力士,开发3时代10纳米级 DDR4 D RAM

NSP NEWS AGENCY, By Hayoung Lee Journali, 2019-10-24 00:44 CND7

(Seoul=NSP通讯社) Hayoung Lee Journalist = SK海力士开发了应用3时代10纳米级(1z)维系工程的16Gbit DDR4 D RAM。

以单一芯片为准, 体现了业界最大容量16Gb,一张圆片生产的存储总容量也在现有的D RAM之间最大。和2时代(1y)产品相比生产率提高了27%,没有超高价的EUV(远紫外)曝光工艺就可以生产了,具备了原价竞争力。

数据传送速率是到DDR4的最快速3200Mbps稳定提供。电力效率也大幅提高,和用2时代8Gb产品做的同用量的模块相比,减少了40%的电力消费。

G03-8236672469

特别是3时代产品应用以前没有使用过的新物质,把D RAM动作的核心要素电容极大化了。而且引进了新设计技术,稳定性也提高了。


SK海力士要次世代移动D RAM‘LPDDR5’和快速D RAM ‘HBM3’等把3时代10纳米级微细工程技术扩大使用到多个方面。

NSP通讯社 Hayoung Lee Journalist mayleepruss@nspna.com
版权所有ⓒ韩国经济通讯社 NSP NEWS· NSP TV。保留所有权利 - 再分配禁止的。