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SKハイニックス 3世代10ナノ級のDDR4ディーラム開発

Published   2019-10-21 16:42, sora kim Journalist [XML:JP:2004:전기/전자]
Tags   #SK하이닉스(000660), #SKハイニックス, #DDR4, #DRAM

(서울=NSP통신) sora kim Journalist = SKハイニックスが3世代10ナノ級の微細工程を適用した16ギガビットのDDR4ディーラムを開発した。

単一チップ基準で業界最大容量である16ギガバイトを具現化しウェハー1枚から生産されるメモリーの全容量も現存するディーラムの中で最も大きい。2世代製品と比べ生産性が約27パーセント向上し超高価の極端紫外線リソグラフィの露光工程なしで生産できるため原価競争力も高い。

データ転送の速度はDDR4企画の最高速度である3200メガビット毎秒まで安定的に支援する。電力効率も大幅に高め、2世代の8ギガバイト製品で作った同一容量のモジュールに比べ電力消費を約40パーセント減らした。

特に3世代製品は前世代の生産工程では使わなかった新規物質を適用しディーラムの動作の核心要素である静電容量を極大化した。また新しい設計技術を導入、動作の安定性も高めた。

一方SKハイニックスは次世代モバイルディーラムのLPDDR5と最高速ディーラムのHBM3など様々な応用先を経て3世代10ナノ級の微細工程技術を拡大・適用していくという計画だ。

 

NSP通信 sora kim Journalist aoiakisora@nspna.com
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