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(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SK海力士全球首次开发出了垂直堆叠12个单品DRAM芯片，实现现有最高容量24GB的HBM3新产品。

现有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。

SK海力士表示：“公司成功开发出了内存容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品，以满足由人工智能聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

SK海力士技术团队在此次产品上应用了批量回流模压填充（MR-MUF）技术和TSV技术。

SK海力士通过应用先进的批量回流模压填充（MR-MUF）技术，提高了新产品的工艺效率和性能稳定性，同时通过硅通孔（TSV）技术，将单个DRAM芯片的厚度降低了40%，12个单品DRAM芯片垂直堆叠达到了与16GB产品相同的堆叠高度水平。

SK海力士2013年开发的HBM在实现运行在高性能计算系统中的生成型AI中起着至关重要的作用，因此受到了内存芯片行业的广泛关注。

据悉,公司目前向多个全球客户提供了24GB HBM3产品的样品，同时该产品的性能评估也在进行中，客户对产品充满了期待。

By Ji-hyang Lee(cwdlwlgid96@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)

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