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サムスン電子、CXLベースのDRAMメモリー技術を開発

NSP NEWS AGENCY, By minjung kim Journali, 2021-05-11 11:04 JPD7
#サムスン電子 #CXL #DRAM #インテル

(Seoul=NSP通信) minjung kim Journalist = サムスン電子が次世代インターフェースコンピューターエクスプレスリンク(ComputeExpressLink、以下CXL)基盤のDRAMメモリー技術を開発した。

人工知能、マシンラーニング、ビッグデータなどデータセンターの性能を画期的に改善できる大容量・高帯域DRAM技術の開発を通じて次世代半導体技術リーダーシップを確保した。

今回開発したCXLベースのDRAMメモリーをインテルのプラットフォームで検証を終え、次世代データセンターが要求する大容量DRAMソリューションの基盤技術を確保した。

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サムスン電子は大容量SSDに適用されるEDSFF(Enterprise & Data Center SSD Form Factor)フォームファクターをCXL DRAMに適用した。CXL DRAMは既存システムのメインDRAMと共存が可能で、システムのメモリ容量をテラバイト級まで拡張することができる。

CXL DRAMのコントローラは、コンピューティングシステムがインタフェースの異なるメインメモリDDR DRAMとCXL DRAMを一緒に使用できるように、メモリマッピング(MemoryMapping)やインタフェースコンバーティング(InterfaceConverting)技術、システムのエラーを最小化し、データの信頼性を向上させるエラー管理(ErrorManagement)などを支援する。

大容量メモリーが求められる次世代コンピューティング市場にあわせ、CXL基盤メモリーを適期に商用化する計画だ。

NSP通信 minjung kim Journalist alswjd5176@nspna.com
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