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(Seoul=NSP通信) minjung kim Journalist = サムスン電子はEUV（極紫外線、ExtremeUltra-Violet）工程を適用した業界最先端14ナノメートル（1·は=10億分の1）DRAMの量産に入った。

5つのレイヤーにEUV工程が適用されたサムスン電子の14ナノDRAMは業界最高のウェハー集積度で前世代対比、生産性が約20%向上した。 また、サムスン電子の14ナノDRAM製品の消費電力は前工程に比べ、約20%改善された。

サムスン電子は今回の新規工程を最新DDR5（DoubleDataRate5）DRAMに一番先に適用する。

DDR5は最高7.2Gbpsの速度でDDR4に比べ、速度が2倍以上速い次世代DRAM規格で、最近人工知能、マシンラーニングなどデータを利用する方式が高度化したことから、データセンター、スーパーコンピューター、企業用サーバー市場などで高性能DDR5に対する需要が持続的に高まっている。

サムスン電子は業界最先端の14ナノ工程と高い成熟度のEUV工程技術力を基盤に差別化された性能と安定した歩留まりを実現し、DDR5DRAMの大衆化をリードするという戦略だ。

また、サムスン電子は高容量データ市場の需要に積極的に対応するため、今回の工程で単一チップの最大容量である24GbDRAMまで量産する計画だ。

NSP通信 minjung kim Journalist alswjd5176@nspna.com
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