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(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = サムスン電子が業界最先端の12ナノ級工程で16Gb(ギガビット)DDR5Dラム量産を開始し、Dラム微細工程競争で技術競争力を確固たるものにした。

サムスン電子の12ナノ級Dラムは最先端技術を適用し、前世代製品対比生産性が約20%向上した。

また、前世代の製品より消費電力が約23%改善された。消費電力の改善によりデータセンター等を運営する上で、電力運営効率を高めることができる。 DDR5規格の12ナノ級Dラムは最高動作速度7.2Gbpsを支援する。