(Seoul=NSP NEWS) = SKハイニックスは次世代AI向け超高性能DRAM新製品HBM4Eの12段サンプルを主要顧客に供給した。

HBM4Eは、前世代のHBM4に比べて性能と電力効率が向上した製品である。

今回の製品は、1ピンあたり最大16Gbpsのデータ処理速度を実現した。エネルギー効率は20%以上改善され、AIの学習と推論に必要なデータ処理性能が向上した。

SKハイニックスは最新のインターフェースと設計により、データ転送遅延を削減し、高帯域幅環境での安定性を強化した。

同社はHBM4Eに先進的なMR-MUFプロセスを適用し、12段積層で48GBの容量を実現した。

熱抵抗はHBM4に比べ約17％低減され、高性能コンピューティング環境での安定性が向上した。

SKハイニックスは、HBM3、HBM3E、HBM4に続く量産・供給の経験を活かし、HBM4Eの適時量産を推進する方針だ。