404三星电子最尖端制程14纳米EUV DDR5 DRAM正式投入量产 - NSP NEWS AGENCY(Chinese)
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三星电子最尖端制程14纳米EUV DDR5 DRAM正式投入量产

NSP NEWS AGENCY, By narea kim Journalist, 2021-10-13 20:23 CND7
#삼성전자 #D램 #EUV

(Seoul=NSP通讯社) narea kim Journalist = 三星电子开始使用极紫外光刻(EUV)技术,批量生产业界最先进制程的14纳米DRAM芯片。

三星电子应用了五层EUV工艺,生产出业界晶圆密度最高的14纳米DRAM。 与上一代DRAM相比,14纳米DRAM生产率提升了20%左右,但能耗反而降低了近20%。

三星电子将新工艺应用到了DDR5 DRAM芯片。

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DDR5是下一代DRAM标准,其速度比DDR快1倍以上,高达7.2Gbps。最近,随着人工智能、机器学习等数据使用方法的复杂化,数据中心、超级计算机、企业级服务器等市场对高性能DDR5的需求不断增加。

三星电子计划利用业界最先进的14纳米工艺和成熟的EUV技术能力,进一步提高DRAM性能和产量,从而实现DDR5 DRAM的普及。

为了满足市场对大容量数据的需求,三星电子还将量产单颗芯片容量最大的24Gb DRAM。

NSP通讯社 narea kim Journalist kim_narea@nspna.com
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