Skip to main content Go body Go Menu
G03-8236672469

SK海力士开发出业界首款12层堆叠HBM3芯片,向客户提供样品

NSP NEWS AGENCY, By Ji-hyang Lee and Bok-hyun Lee, 2023-04-20 21:48 CNX7
#SK海力士 #HBM3 #DRAM
NSP통신

(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SK海力士全球首次开发出了垂直堆叠12个单品DRAM芯片,实现现有最高容量24GB的HBM3新产品。

现有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆叠8个单品DRAM芯片的16GB。

SK海力士表示:“公司成功开发出了内存容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。我们将在下半年向市场供应新产品,以满足由人工智能聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。”

G03-8236672469

SK海力士技术团队在此次产品上应用了批量回流模压填充(MR-MUF)技术和TSV技术。

SK海力士通过应用先进的批量回流模压填充(MR-MUF)技术,提高了新产品的工艺效率和性能稳定性,同时通过硅通孔(TSV)技术,将单个DRAM芯片的厚度降低了40%,12个单品DRAM芯片垂直堆叠达到了与16GB产品相同的堆叠高度水平。

SK海力士2013年开发的HBM在实现运行在高性能计算系统中的生成型AI中起着至关重要的作用,因此受到了内存芯片行业的广泛关注。

据悉,公司目前向多个全球客户提供了24GB HBM3产品的样品,同时该产品的性能评估也在进行中,客户对产品充满了期待。

ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved.

[NSPAD]삼성전자

 

G01-7888933544