(Seoul=NSP NEWS) = 三星电子向全球客户首次供应12层HBM4E样品，进一步加快下一代AI存储器市场布局。此次样品出货是继今年2月HBM4量产启动后的又一重要进展。

HBM4E产品采用10纳米级第六代（1c）DRAM和4纳米逻辑芯片，兼顾工艺稳定性与量产能力。产品运行速度达到每引脚14Gbps，最高可提升至16Gbps，单堆叠带宽达到每秒3.6TB。12层产品容量为48GB，未来还将推出32GB的8层产品和64GB的16层产品，进一步丰富产品线。

在封装设计方面，新产品较前代实现16%的能效提升和14%以上的散热性能改善，有助于满足高性能AI计算环境对功耗和散热的需求。三星电子表示，将以此次样品供应为起点，根据客户验证进度推进量产供应。

公司还将依托存储器、晶圆代工、系统LSI及先进封装的一站式解决方案，进一步提升AI存储器市场竞争力，并积极抢占下一代HBM市场先机。