(Seoul=NSP NEWS) = SK海力士将在美国印第安纳州建设其首个高带宽存储器（HBM）生产基地。
公司于27日在印第安纳州西拉法叶的普渡大学举行AI存储器先进封装生产基地开工仪式。
该项目总投资额超过40亿美元，计划于2028年10月完成洁净室建设。
SK海力士计划从2029年下半年开始在当地量产下一代HBM产品。
在韩国生产的半导体晶圆将运往印第安纳工厂，进行先进封装和性能测试后供应美国客户。
该工厂投产后，将成为SK海力士在美国建立的首个HBM生产基地，也是供应美国本土产HBM的核心设施。
除生产设施外，公司还将建设先进封装研发及测试设施，推动下一代封装技术开发。
SK海力士已与普渡大学签署研发合作协议，将共同研究基于HBM的下一代系统集成及先进封装技术。
目前已有约100家材料、零部件及设备企业正在讨论进驻西拉法叶。
SK海力士预计，通过工厂建设和运营将在当地创造约7000个直接和间接就业岗位。
公司还将扩大在美国的人才招聘，并参与驻韩美军退役军人就业平台。
SK海力士CEO郭鲁正表示，公司将继续扩大在美国的投资与合作，成为AI产业值得信赖的合作伙伴。