(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = Samsung Electronics (005930) первой в мире поставила 12-слойные образцы HBM4E глобальным клиентам.

Благодаря новому поколению памяти с высокой пропускной способностью компания создает основу для массового производства и ускоряет освоение рынка AI-памяти.

Поставка новых образцов стала следующим шагом после начала массовых поставок HBM4 в феврале этого года. Samsung Electronics сообщила, что в 12-слойной версии HBM4E используются DRAM шестого поколения класса 10 нм (1c) и логический кристалл, изготовленный по 4-нм техпроцессу. Это позволило одновременно повысить стабильность производственного процесса и готовность к массовому выпуску.

Также были улучшены характеристики производительности. Память стабильно работает на скорости 14 Гбит/с на pin и поддерживает скорость до 16 Гбит/с. Пропускная способность одного стека достигает 3,6 ТБ/с. 12-слойная версия имеет ёмкость 48 ГБ, а в дальнейшем линейка будет расширена моделями на 32 ГБ (8 слоёв) и 64 ГБ (16 слоёв).

Компания также усовершенствовала конструкцию чипа и архитектуру упаковки. По данным Samsung Electronics, по сравнению с предыдущим поколением энергоэффективность выросла на 16%, а показатели теплового сопротивления улучшились более чем на 14%. Эти изменения направлены на повышение энергоэффективности и эффективности теплоотвода, что особенно важно для высокопроизводительных AI-вычислений.

После начала поставок образцов компания планирует перейти к массовым поставкам в соответствии с графиками клиентов. Samsung Electronics намерена удовлетворять спрос на HBM, опираясь на комплексную систему one-stop turnkey, объединяющую направления памяти, foundry-производства, System LSI и передовых технологий упаковки.