NSP NEWS

(Seoul=NSPагентство новостей) INNA CHECHELNYT Journalist = Samsung Electronics обеспечила лидерство в области полупроводниковых технологий следующего поколения за счет разработки технологии DRAM высокой емкости и высокой пропускной способности, которая может значительно улучшить производительность центров обработки данных, таких как искусственный интеллект (AI), машинное обучение (machine learning) и большие данные (Big Data).

Samsung Electronics проверила память DRAM на основе CXL, разработанную на этот раз на платформе Intel, и обеспечила защиту базовой технологии для решения DRAM большой емкости, необходимого для центров обработки данных следующего поколения.

Компания Samsung Electronics применила форм-фактор EDSFF (Enterprise & Data Center SSD Form Factor), применяемый к твердотельным накопителям большой емкости, для CXL DRAM. CXL DRAM может сосуществовать с основной DRAM существующей системы и увеличивать объем памяти системы до терабайта. Разработанный в этот раз контроллер CXL DRAM сводит к минимуму системные ошибки с помощью технологий отображения памяти (Memory Mapping) и преобразования интерфейсов (Interface Converting), так что вычислительная система может использовать вместе DDR DRAM основной памяти и CXL DRAM с различными интерфейсами, а также контроллер поддерживает управление ошибками (Error Management), которое может повысить надежность данных.