Samsung Electronics начинает массовое производство самой передовой 14-нанометровой памяти DRAM DDR5 с применением EUV
NSP NEWS, By INNA CHECHELNYT Jour
RUD7
(Seoul=NSPагентство новостей) INNA CHECHELNYT Journalist = Samsung Electronics начала массовое производство 14-нм DRAM, самой передовой в отрасли техпроцесса EUV (Extreme Ultra-Violet).
14-нанометровая память DRAM от Samsung Electronics с технологией EUV, примененной к 5 слоям, имеет самую высокую в отрасли плотность пластин, а производительность улучшена примерно на 20% по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, энергопотребление 14-нм DRAM-продуктов Samsung Electronics улучшилось примерно на 20% по сравнению с предыдущим техпроцессом.
Samsung Electronics первой применила этот новый техпроцесс к новейшей DRAM DDR5 (Double Data Rate 5).
DDR5 - это стандарт DRAM нового поколения, которая более чем в два раза быстрее, чем DDR4, с максимальной скоростью 7,2 Гбит/с. Память улучшается в последнее время с развитием методов, использующих данные, таких как искусственный интеллект и машинное обучение, поэтому спрос на высокопроизводительную память DDR5 продолжает расти на рынках центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов.
Стратегия Samsung Electronics состоит в том, чтобы возглавить популяризацию DDR5 DRAM за счет реализации дифференцированной производительности и стабильной производительности на основе самого передового в отрасли 14-нанометрового технологического процесса и высокоразвитой технологии EUV.
Кроме того, Samsung Electronics планирует массовое производство DRAM объемом до 24 ГБ, что является максимальной емкостью одного чипа, с помощью этого процесса, чтобы активно реагировать на потребности рынка данных высокой емкости.
14-нанометровая память DRAM от Samsung Electronics с технологией EUV, примененной к 5 слоям, имеет самую высокую в отрасли плотность пластин, а производительность улучшена примерно на 20% по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, энергопотребление 14-нм DRAM-продуктов Samsung Electronics улучшилось примерно на 20% по сравнению с предыдущим техпроцессом.
Samsung Electronics первой применила этот новый техпроцесс к новейшей DRAM DDR5 (Double Data Rate 5).
DDR5 - это стандарт DRAM нового поколения, которая более чем в два раза быстрее, чем DDR4, с максимальной скоростью 7,2 Гбит/с. Память улучшается в последнее время с развитием методов, использующих данные, таких как искусственный интеллект и машинное обучение, поэтому спрос на высокопроизводительную память DDR5 продолжает расти на рынках центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов.
광고를 불러오는 중...
Кроме того, Samsung Electronics планирует массовое производство DRAM объемом до 24 ГБ, что является максимальной емкостью одного чипа, с помощью этого процесса, чтобы активно реагировать на потребности рынка данных высокой емкости.
![LG그룹[T01] [NSPAD]LG그룹](https://file.nspna.com/ad/T01_lgfuture_5298.gif)
![삼성전자[T01] [NSPAD]삼성전자](https://file.nspna.com/ad/T01_samsung_5043.gif)