SK hynix разработала 10‑нм DRAM 6‑го поколения ‘1c LPDDR6’… готовится к массовому производству в первой половине года
NSP NEWS, By Youngsuk Kim and Bok-hyun Lee
RUX7
Скорость обработки на 33% выше по сравнению с LPDDR5X… расширение линейки универсальной AI‑памяти для смартфонов и планшетов с поддержкой on‑device AI

(Фото: SK hynix)
(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SK hynix (000660) сообщила о разработке 16‑гигабитной DRAM LPDDR6 с применением 10‑нм техпроцесса 6‑го поколения (1c).
Компания пояснила, что после презентации продукта на выставке CES в январе недавно впервые в мире завершила сертификацию разработки 1c LPDDR6.
Новый продукт основан на стандарте LPDDR6 — энергоэффективной памяти для мобильных устройств, таких как смартфоны и планшеты, оснащённые on‑device AI (искусственный интеллект на устройстве).
SK hynix за счёт расширения пропускной способности повысила объём передаваемых данных за единицу времени на 33% по сравнению с LPDDR5X. Скорость работы превышает 10,7 Гбит/с, что выше максимальных показателей предыдущих продуктов. Энергопотребление снижено более чем на 20% благодаря применению структуры субканалов и технологии DVFS (динамическое регулирование напряжения и частоты).
В компании пояснили, что продукт спроектирован таким образом, чтобы при высоких нагрузках обеспечивать повышенную производительность, а при обычном использовании — снижать энергопотребление.
SK hynix подчеркнула: «Мы завершим подготовку к массовому производству в первой половине года и начнём поставки во второй половине, формируя линейку универсальных продуктов памяти для реализации AI».
Компания пояснила, что после презентации продукта на выставке CES в январе недавно впервые в мире завершила сертификацию разработки 1c LPDDR6.
Новый продукт основан на стандарте LPDDR6 — энергоэффективной памяти для мобильных устройств, таких как смартфоны и планшеты, оснащённые on‑device AI (искусственный интеллект на устройстве).
SK hynix за счёт расширения пропускной способности повысила объём передаваемых данных за единицу времени на 33% по сравнению с LPDDR5X. Скорость работы превышает 10,7 Гбит/с, что выше максимальных показателей предыдущих продуктов. Энергопотребление снижено более чем на 20% благодаря применению структуры субканалов и технологии DVFS (динамическое регулирование напряжения и частоты).
광고를 불러오는 중...
SK hynix подчеркнула: «Мы завершим подготовку к массовому производству в первой половине года и начнём поставки во второй половине, формируя линейку универсальных продуктов памяти для реализации AI».
![삼성전자[T01] [NSPAD]삼성전자](https://file.nspna.com/ad/T01_samsung_5043.gif)