(Seoul=NSP NEWS AGENCY) = SK Hynix (000660) поставила ключевым клиентам образцы 12-слойной HBM4E, новой высокопроизводительной DRAM-памяти для AI следующего поколения. Компания готовится к рынку AI-памяти нового поколения, предлагая продукт с повышенной производительностью и энергоэффективностью.

HBM4E — это продукт, улучшенный по сравнению с предыдущим поколением HBM4 по производительности и энергоэффективности.

SK Hynix заявила, что данный образец обеспечивает скорость обработки данных до 16 Гбит/с на один контакт. Энергоэффективность была повышена более чем на 20%. Это продукт, ориентированный на повышение производительности обработки данных, необходимой для обучения и вывода AI-моделей.

Также была улучшена структура передачи данных.

Компания пояснила, что применение новейшего интерфейса и архитектуры позволило снизить задержки передачи данных и повысить стабильность работы в условиях высокой пропускной способности. Это продукт, ориентированный одновременно на скорость и стабильность, которые требуются для памяти, используемой в AI-серверах.

Также были применены технологии многослойной укладки и контроля нагрева.

SK Hynix применила в HBM4E усовершенствованный процесс MR-MUF, реализовав объём 48GB при 12-слойной структуре. Тепловое сопротивление снижено примерно на 17% по сравнению с HBM4. Компания сосредоточилась на снижении нагрева и повышении стабильности в условиях высокопроизводительных вычислений.

Компания продолжает расширять линейку продуктов следующего поколения, включая HBM3, HBM3E, HBM4 и HBM4E.

Опираясь на опыт массового производства и поставок, компания планирует своевременно начать массовое производство HBM4E. Это отражает стремление расширить продуктовый портфель в соответствии со спросом на память для AI-серверов следующего поколения.