내년 글로벌 메모리 시장 AI 수요 확대로 강력 성장 전망-NSP통신

내년 글로벌 메모리 시장, AI 수요 확대로 강력 성장 전망

NSP통신, 이복현 기자

입력 2025-10-29 11:06 입력 2025-10-29 10:12 KRX7, 읽는 중 0명

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(이미지 = 테크인사이츠)

(서울=NSP통신) 이복현 기자 = 내년 글로벌 메모리 시장이 인공지능(AI) 수요 확대와 제한된 공급 환경 속에서 강한 성장세를 보일 것으로 전망됐다.

반도체 분석기관 테크인사이츠는 29일 발간한 ‘2026 메모리 전망’ 보고서에서 “AI 확산이 고성능·저전력 메모리 수요를 견인하고 있다”며 이같이 밝혔다.

보고서에 따르면 D램은 10nm 이하 D1c·D1-감마 노드로 진입하며, 고성능·저전력 HBM4와 차세대 D램이 시장 성장을 주도할 전망이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체는 6F²·4F² 셀 구조, 3D D램, IGZO(산화인듐갈륨아연) 채널 소재 등을 적용해 성능과 효율을 동시에 강화하고 있다.

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HBM과 HBF(High-Bandwidth Flash)는 AI 가속기, 데이터센터, HPC(고성능 컴퓨팅) 분야의 핵심으로 부상했다. 특히 16Hi HBM4, LPW D램, SoC 전용 HBF 등 신기술이 2026년 상용화를 앞두고 있다. 키오시아와 샌디스크는 AI 엣지 장치에서도 활용 가능한 HBF 기술을 개발 중이다.

3D 낸드 시장은 하이브리드 본딩과 무계단 WLC 구조 등 신기술을 통해 200~300단 제품으로 진화 중이다. 삼성전자와 마이크론, YTMC가 올해 200단대 제품을 선보였으며, SK하이닉스도 300단 제품 출시를 앞두고 있다.

미국은 첨단 메모리 장비의 중국 수출을 내년에도 제한할 방침으로, 중국 YMTC·CXMT·JHICC 등은 기술 자립과 공정 혁신을 가속화하고 있다.

테크인사이츠는 “2026년 메모리 시장은 AI 기반 수요 확대와 제한된 공급이 맞물려 D램, HBM, 낸드 모두 강력한 성장세를 기록할 것”이라며 “HBM4는 AI 학습과 추론 가속기의 핵심, 고성능 D램과 대용량 낸드는 데이터센터·엣지 시장 확산의 주역이 될 것”이라고 분석했다.

NSP통신 이복현 기자(bhlee2016@nspna.com)