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(서울=NSP통신) 김용환 기자 = 삼성전자가 10일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)’에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개하고 플래시 메모리의 새로운 가능성을 제시했다.

삼성전자는 이번 플래시 메모리 서밋에서 4세대(64단) V낸드 기술을 바탕으로 3차원 메모리 기술 리더십을 공고히 하고 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 테라 시대를 주도해 나간다는 중장기 전략을 공개했다.

삼성전자는 빅데이터의 증가와 고속 처리, 데이터센터 관리 비용 절감 등 시장 요구에 맞춰 ‘고용량, 고성능, 초소형’ 솔루션으로 기업 고객들의 IT 투자 효율을 극대화하겠다는 전략.

이에 따라 삼성전자는 △ 기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드 △ 고용량 서버용 32TB SAS SSD △ 울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD △ 하이엔드용 Z- SSD 등 혁신적인 4세대 V낸드 기반 신제품을 선보였다.

삼성전자는 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발해 1센트 동전 크기의 초소형 ‘1TB BGA NVMe SSD’를 내년 중 출시할 예정이다.

연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1500MB/s이며 고속 쓰기(Turbo Write) 기술을 적용해 쓰기속도도 900MB/s에 이른다.

이는 고해상도 Full HD급 영화 1편(5GB)을 약 3초에 전송하고 약 6초에 저장할 수 있는 속도다. 이 제품은 기존 제품 대비 크기를 50% 이상 줄여 대용량 배터리 탑재 공간 확보 등 울트라 슬림 PC의 디자인 유연성 향상에 크게 기여할 것으로 기대된다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “고객들에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형
솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO(Total Cost of Ownership) 절감 효과를 극대화할 수 있게 됐다”며 “향후 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 지속 확대해
나갈 것”이라고 밝혔다.