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(서울=NSP통신) 김정태 기자 = 삼성전자가 기존 고성능 NVMe SSD보다 응답 속도가 5배 이상 빠른 800GB Z-SSD를 출시하며 3차원 V낸드 플래시 기술로 새로운 프리미엄 시장을 열었다.

지난 2017년에 세계 최초로 Z-SSD를 개발한 삼성전자는 800GB Z-SSD 제품을 출시하며 인공지능·빅데이터·IoT와 같은 차세대 시장에서 캐시 데이터, 로그 데이터의 초고속 처리·분석에 최고 효율의 솔루션을 제공하게 됐다.

삼성전자의 800GB Z-SSD는 ▲3비트 V낸드보다 읽기 속도가 10배 이상 빠른 Z-NAND ▲고속 응답(Ultra Low Latency) 컨트롤러 ▲1.5GB용량의 초고속 초절전 LPDDR4 모바일 D램을 탑재해 기존 3비트 기반 고성능 NVMe SSD(PM963)의 쓰기응답 속도보다 5배 이상 빠른 16㎲와 1.7배 빠른 임의 읽기 성능 750K IOPS를 구현한다.

또한 800GB Z-SSD는 800GB를 매일 30번씩 쓰는 경우에는 최대 5년의 사용 기간을 보증하며 일일 사용량이 이를 더 초과할 경우에는 최대 총 쓰기 사용 용량을 4만2000TB(테라바이트)까지 보증한다.

특히 최고 용량과 성능을 동시에 구현하면서도 신뢰성(평균 무고장 시간:MTBF, Mean Time Between Failures)을 200만 시간으로 2배 높여 Z-SSD를 탑재한 시스템이 최고의 성능, 내구성, 신뢰성을 동시에 구현할 수 있게 했다.

삼성전자는 기존 PC SSD, 엔터프라이즈 서버 및 스토리지 SSD, 소비자 SSD 시장을 주도하고 있으며 이번 800GB Z-SSD 출시로 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)용 SSD 등 프리미엄 SSD 시장에서도 확고한 제품 경쟁력을 확보했다.

삼성전자는 이번 3세대(48단) V낸드 기반으로한 ‘1세대 싱글 포트(Single Port) Z-SSD 라인업(800GB/240GB) 출시에 이어 올해안에 두개의 연결 포트로 가용성을 확장해 시스템 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 2세대 듀얼 포트(Dual Port) Z-SSD 라인업을 출시, Z-SSD 라인업을 확대하며 프리미엄 스토리지 시장을 선도해 나갈 계획이다.

한편 삼성전자는 오는 2월 11일 미국 샌프란시스코에서 열리는 ‘국제반도체회로학회 2018(International Solid-State Circuits Conference)’에서 프리미엄 시장을 이끌 첨단 Z-SSD 핵심 기술과 라인업을 발표할 예정이다.