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[서울=NSP통신] 김정태 기자 = 삼성전자가 중국 산시(陝西)省 시안(西安)市에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다고 12일 밝혔다.

삼성전자의 시안(西安) 공장은 초기 투자금액 23억달러, 총 투자 규모 70억달러로 오는 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산 할 계획이다.

이번 투자는 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모다.

삼성전자는 지난해 화성 16라인을 준공한지 1년 만에 시안 생산 라인 건설에 착수해 국내·외 균형있는 투자를 지속하고 있다.

이번 삼성전자의 중국 진출은 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째 해외 진출이다. 글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 중국과 미국에 생산단지를 구축한 삼성전자는 향후 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것으로 전망했다.

한편, 이번 착공식은 12일 중국정부를 대표한 자오러지(赵乐际) 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관 그리고 권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석했다