(서울=NSP통신) 이복현 기자 = SK하이닉스(000660)가 HBM 패키지 내부에 일체형 냉각 요소를 적용한 ‘iHBM’ 기술을 공개했다.

iHBM은 열 전도성이 높은 실리콘 소재를 활용해 HBM 패키지 내부에 별도의 열 배출 경로를 형성하는 기술이다.

AI 연산 수요 확대에 따라 HBM의 적층 단수와 속도가 높아지면서 발열 제어는 차세대 HBM 경쟁력의 핵심 요소로 부상하고 있다.

SK하이닉스는 발열이 집중되는 D2D PHY 영역에 냉각 요소를 넣어 열 방출 경로를 개선했다. 이를 통해 기존 대비 열저항을 30% 이상 낮추고 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 특성을 확보했다.

양산 측면에서는 검증된 Advanced MR-MUF 기반 WLP 공정을 적용했다.

고객사의 기존 SiP 환경과 설계 호환성이 높아 도입 부담을 낮춘 점도 특징이다.

SK하이닉스는 iHBM에 대해 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 발열 최소화 솔루션이라며 이 기술을 HBM5 등 차세대 제품부터 적용할 계획이라고 전했다.

업체 측은 이를 통해 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터 등 초고대역폭 환경에서 시스템 안정성과 운영 효율을 높인다는 방침이다.