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(DIP통신) = 인텔이 임베디드 노어 플래시 제품 생산을 65나노 공정 기반으로 전환한다.

22일 인텔에 따르면 자사의 임베디드 기술을 사용하는 고객들을 위해 임베디드용 노어 플래시 메모리 제품을 65나노 공정 기술로 전환키로 했다.

인텔은 이에 따라 앞으로 제품 수명 주기 연장은 물론 제품 기능 및 비용 효율성을 향상시킬 수 있을 것으로 예상했다.

임베디드 시장을 대상으로 하는 인텔 노어 제품군에는 일반적으로 병렬 및 시리얼 솔루션 등이 있다.

이들 제품 중 인텔 스트라타플래시임베디드 메모리 (P30/P33)는 비트 당 비용이 가장 낮은 고집적, 고성능의 싱글칩 코드이며 데이터 솔루션이다.

인텔 임베디드 플래시 메모리(J3 v.D)는 드롭인(drop-in) 호환을 통해 레거시 디자인을 위한 업그레이드 경로를 제공해 준다. 이 제품의 강화된 기능들은 가치와 확장성을 필요로 하는 메인스트림 임베디드 애플리케이션을 지원한다.

업계 표준의 인텔 시리얼 플래시 메모리(S33)는 보드 디자인을 간소화시켜 보드 공간 활용도를 높여준다. 이 제품은 TV, DVD, PC, 모뎀 및 프린터와 같은 다양한 애플리케이션들을 위한 LPC 인터페이스와 소형 패키지를 구현한다.

글렌 헉크 인텔 플래시 제품 그룹 총괄 매니저는 “대부분의 임베디드 디자인은 휴대폰을 비롯한 여러 소비자용 디지털 기기에 비해 제조 기간이 길다”며 “인텔 노어 무선 제품들은 최첨단 65나노 공정을 기반으로 이미 대량 생산되고 있다. 이러한 지식 및 전문성을 이용하여 자사 제품 개발 및 생산 일정을 가속화하고 있다”고 말했다.

한편 가전제품, 유선 통신 장비 및 산업용 애플리케이션에 사용되는 인텔의 65나노 제품들은 오는 2008년 상반기 중 고객들에게 샘플 제공될 예정에 있다.