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(서울=NSP통신) 이복현 기자 = 삼성전자(005930)가 차세대 HBM4E를 통해 엔비디아 AI 플랫폼 대응력을 높인다.

삼성전자는 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차1c D램·4나노 파운드리 기반 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개했다.

또 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’과 ‘Nvidia Gallery’를 통해 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 역량과 엔비디아와의 협력 관계를 강조했다.

삼성전자가 공개한 HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭 지원은 물론, HCB 기술을 통해 기존 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층도 지원한다.

이번 전시 현장에는 Vera Rubin 플랫폼용 HBM4와 Vera CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763도 함께 배치됐다. 삼성전자는 Vera Rubin 플랫폼의 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 토털 솔루션 역량을 부각했다. 17일에는 송용호 AI센터장이 엔비디아 특별 초청 발표를 통해 AI 인프라용 메모리 전략에 대해 소개할 예정이다.