(서울=NSP통신) 이복현 기자 = 삼성전자(005930)가 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다.

차세대 고대역폭 메모리 제품을 앞세워 양산 기반을 확보하고 AI 메모리 시장 대응에도 속도를 내고 있다.

이번 샘플 출하는 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이은 후속 행보다. 삼성전자는 HBM4E 12단 제품에 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 로직 다이를 적용했다고 밝혔다. 이를 통해 공정 안정성과 양산성을 함께 확보했다는 것.

성능도 끌어올렸다. 제품은 핀당 14Gbps 속도로 안정적으로 작동하며 최대 16Gbps까지 구현할 수 있다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB다. 12단 제품은 48GB 용량을 제공하며 향후 32GB 8단과 64GB 16단 제품으로 라인업을 넓힐 계획이다.

설계와 패키징 구조도 손봤다. 삼성전자는 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 밝혔다. 고성능 AI 연산 환경에서 요구되는 발열 관리와 전력 효율을 함께 겨냥한 조치다.

회사는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급에 나설 예정이다. 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 원스톱 턴키 체계를 바탕으로 HBM 고객 수요에 대응한다는 방침이다.