(서울=NSP통신) 이복현 기자 = SK하이닉스(000660)가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 성능과 전력 효율을 높인 제품을 앞세워 차세대 AI 메모리 시장 대응에 나섰다.

HBM4E는 이전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 개선한 제품이다.

SK하이닉스는 이번 샘플이 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다고 밝혔다. 에너지 효율은 20% 이상 높였다. AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 성능을 끌어올리는 데 초점을 맞춘 제품이다.

데이터 전송 구조도 손봤다.

최신 인터페이스와 설계를 적용해 데이터 전송 지연을 줄였고 고대역폭 환경에서의 안정성도 높였다고 회사는 설명했다. AI 서버용 메모리에서 요구되는 속도와 안정성을 함께 겨냥한 셈이다.

적층과 발열 제어 기술도 반영됐다.

SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 열 저항은 HBM4 대비 약 17% 낮췄다. 고성능 컴퓨팅 환경에서 발열을 줄이고 안정성을 높이는 데 초점을 맞췄다.

회사는 HBM3와 HBM3E, HBM4에 이어 HBM4E까지 차세대 제품군을 확대하고 있다.

그동안의 양산과 공급 경험을 바탕으로 HBM4E 적기 양산도 추진할 계획이다. 차세대 AI 서버용 메모리 수요에 맞춰 제품 포트폴리오를 넓히는 흐름이다.