(서울=NSP통신) 이복현 기자 = 삼성전자(005930)가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 ‘FMS 2026’에서 차세대 3D 메모리 아키텍처와 AI 메모리 기술 로드맵을 공개했다.

삼성전자는 행사에서 차세대 3D 메모리인 zHBM과 zNAND-O 목업을 업계 첫 선보였다.

zHBM은 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력효율을 높이고 대규모 AI 모델 학습과 추론에 필요한 데이터 처리를 지원한다.

삼성전자는 zHBM 기반 차세대 인터페이스 시스템이 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 3배 향상된 전성비를 제공한다고 설명했다.

열 저항도 절반 이상 낮춰 고용량·고대역폭 시스템의 안정성을 높일 수 있다는 설명이다.

zNAND-O는 온디바이스 AI 환경에 맞는 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션이다.

기존 V-NAND의 수직 적층 기술에 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

삼성전자는 400단 이상의 10세대 V-NAND인 ‘V10 BV-NAND’도 공개했다.

V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩 기술과 3스택 기술을 적용해 초고적층 구조를 구현한 차세대 NAND 제품이다.

메모리 집적도는 전 세대 대비 약 58% 향상됐으며, 데이터 읽기·쓰기 성능과 입출력 속도도 개선됐다.

삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅에 대응하는 메모리·스토리지 포트폴리오도 소개했다.

LPDDR5X-PIM은 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 줄이고 전력효율을 높이는 차세대 메모리 제품이다.

PM1763은 기업용 SSD로 빠른 읽기 속도와 데이터 처리 효율을 앞세우며, BM1773은 대규모 AI 학습 데이터 저장 수요에 대응하는 초고용량 기업용 SSD다.

삼성전자는 메모리, 로직, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 원스톱 솔루션 역량도 강조했다.

고객 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 지원해 개발 기간을 줄이고 성능과 전력효율을 효율화한다는 전략이다.

삼성전자는 차세대 메모리 기술과 패키징 역량을 기반으로 AI 시대 반도체 기술 리더십을 강화할 계획이다.